（原标题：两大巨头，加码HBM）

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人人两大内存芯片制造商三星电子和SK 海力士正在竞相向包括英伟达在内的客户提供先进的 DRAM 芯片，以享受东谈主工智能激越。两家韩国公司的高管周三默示，他们正在尽最大费力尽快多数目坐褥最新的高带宽内存 (HBM) 芯片。三星公司总裁兼

内存业务精采东谈主李正培在海外半导体专科东谈主士约聚 Semicon Taiwan 2024 的主题演讲中默示：“为了最大收场地进步 AI 芯片的性能，定制的 HBM 是最好聘任。咱们正在与其他代工场互助，提供 20 多种定制处治决策。”

他默示，三星正准备推出用于干事器的 256 太字节 (TB) 固态硬盘 (SSD)，以应承 AI 干事器对大容量存储斥地日益增长的需求。

SK海力士总裁兼AI Infra精采东谈主Justin Kim在主题演讲中默示：“咱们正与台积电密切互助斥地HBM 4。咱们的斥地默契告成，因此咱们但愿在合乎的时刻向客户提供该芯片。”

HBM 对 AI 的忻悦发展至关伏击，因为与传统内存芯片比较，它提供了急需的更快处理速率。

在内存芯片制造商中，SK Hynix 是 AI 愚弄爆炸式增长的最大受益者，因为它 主导了 HBM 的坐褥，而 HBM 对生成式 AI 谋略至关伏击，而且是 Nvidia 最大的 AI 芯片供应商，Nvidia 限制着 80% 的 AI 芯片市集。SK Hynix 上个月默示，谋略在第四季度

向 Nvidia 大宗供应其最新的 12 层 HBM3E 芯片。SK默示将于本月底启动量产该芯片。

为了保执向上地位，SK于4月与人人最大的代工场或条约芯片制造商台积电联手，谋略来岁斥地下一代 AI 芯片 HBM4。三星的 HBM3 芯片已通过 Nvidia 的经验测试，现在正 费力争取这家好意思国 AI 芯片想象公司 HBM3E 芯片的批准。

三星启动向 NVIDIA 出货 HBM3E

据报谈，三星电子已与NVIDIA互助完成了第五代高带宽存储器（HBM3E）8层家具的质料测试，并已启动出货，准备在先进存储器市集与竞争敌手SK海力士和好意思光张开竞争。

据台湾市集商讨公司TrendForce指出，三星天然插足HBM3E市集晚于竞争敌手，但现在已启动出货。

TrendForce 诠释注解称，尽管三星插足 HBM3E 市集的时刻晚于其竞争敌手 SK Hynix 和好意思光，但该公司最近已完成其 HBM3E 家具的认证经由。据报谈，三星已启动为 NVIDIA 的 H200 GPU 出货其 8 层 HBM3E 内存，而行将推出的 Blackwell 系列的认证经由据称默契告成。

三星电子对此修起称，网上配资他们无法阐述与客户干系的具体细节，并默示该报谈存在不准确之处。上个月，路透社曾报谈称，三星收效通过了 NVIDIA 的 8 层 HBM3E 家具录用质料测试。然则，那时三星也否定了这一说法，并诠释注解说他们仍在与主要客户进行测试。

TrendForce 还指出，好意思光和 SK 海力士在本年第一季度完成了 HBM3E 认证，并于第二季度启动批量出货。据 Trendforce 称，现在好意思光主要为 H200 供应 HBM3E，而 SK 海力士则同期供应 H200 和 B100 系列。

TrendForce 进一步指出，NVIDIA 的 H200 GPU 是首款采用 8 层 HBM3E 本领的 GPU，瞻望将在本年对市集产生枢纽影响。此外，他们瞻望行将推出的 Blackwell 芯片也将全面采用 HBM3E 本领。

据台媒 MoneyDJ答理网 报谈，斥地处治决策部存储器业务总裁兼总司理李祯培本日在台北出席行业行径时默示三星将在定制 HBM 内存上赐与客户充分天真自主。

李祯培在其题为“内存本领鼎新跃进将来”的主题演讲中提到，在 AI 时间内存面对能耗、带宽与容量三大挑战，三星电子将准备搭载鼎新本领的万般化新品，对准 AI 斥地及边际愚弄。

对 HBM 而言，突破现存速率与能耗瓶颈的一个可能阶梯是为内存集成逻辑处明智力。在这一情况下内存制造商与代工场的互助至关伏击，三星存储器业务部门已为此准备好“交钥匙”决策。

此外，三星电子也可向客户提供干系 IP，由客户自行想象 Base Die 基础裸片以打造定制 HBM 家具，用户甚而不错将基础裸片交由非三星电子的第三方代工企业坐褥。

李祯培强调，三星电子不错提供内存、代工制程及封装一条龙干事，与正常生态系统互助伙伴沿途约略应承客户不同需求。

他还在演讲中默示，本年 HBM 内存全体出货界限有望达到 1600GB，较此前 8 年累计多出两倍；而人人半导体营收有望在 2028 年达到 8000 亿好意思元（IT之家备注：现时约 5.7 万亿元东谈主民币）界限。

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